Décret n° 88-61 du 22 mars 1988 portant création du Centre de développement des technologies avancées
Article 1er
فتح المادةIl est créé un Centre de recherche à vocation intersectorielle, dénommé : « Centre de développement des technologies avancées », et ci-après désigné : « Le Centre ».
Le centre est régi par les dispositions du décret n° 83-521 du 10 septembre 1983 et celles du présent décret.
عُدِّل بموجب Décret exécutif n° 03-457 (ج.ر عدد 75 لسنة 2003)
آخر صيغة معروفة
“Article 1er. — Il est créé un centre de recherche dénommé : “centre de développement des technologies avancées” désigné ci-après “le centre”.
Le centre est un établissement public à caractère scientifique et technologique à vocation intersectorielle régi par les dispositions du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, et par les dispositions du présent décret”.
LA REPUBLIQUE ALGERIENNE N° 75 17
Article 2
فتح المادةLe Centre est placé sous la tutelle du Haut commissariat à la recherche.
Le siège du Centre est fixé à Bouinan (wilaya de Blida). Il peut être transféré en tout autre lieu du territoire national par décret pris sur rapport du Haut commissaire à la recherche.
عُدِّل بموجب Décret exécutif n° 03-457 (ج.ر عدد 75 لسنة 2003)
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“Art. 2. — Le centre est placé sous la tutelle du ministre de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique.
Le siège du centre est fixé à Alger. Il peut être transféré en tout autre lieu du territoire national par décret pris sur rapport du ministre de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique”.
Article 3
فتح المادةDans le cadre de ses missions générales et outre les activités prévues à l'article 4 du décret n° 83-521 du 10 septembre 1983 susvisé, le Centre a pour mission d'élaborer et de mettre en œuvre les programmes de recherche nécessaires au développement 23 Mars 1988 JOURNAL OFFICIEL DE LA de la technologie de l'information, des lasers, des plasmas, de la robotique et de la fusion thermonucléaire.
A ce titre, le Centre est chargé d'effectuer les travaux de recherche et de développement scientifique et technologique dans les domaines : de la microélectronique, notamment l'élaboration de méthodologie et de logiciel d'aide à la conception de circuits intégrés, la conception de systèmes intégrés, l'élaboration de processus liés aux différentes filières technologiques, le développement et la fabrication de composants microélectroniques, optoélectroniques et de puissance, le développement d'outils et de techniques de caractérisation, de tests et de simulation; de la technologie des logiciels, en particulier de langage de programmation, d'intelligence artificielle et de systèmes experts; de l'architecture des systèmes, notamment le traitement avancé de l'information; les supports de stockage de l'information et des connaissances; le traitement du signal audio et vidéo de communications homme-machine, les réseaux locaux, les terminaux intelligents multilingues; de la robotique et des systèmes automatisés de production, de la vision artificielle, de l'architecture et de la modélisation des robots, de la périrobotique et de l'inforobotique, de la fabrication assistée par ordinateur et des systèmes flexibles de production; de la transmission de données, des techniques d'analyse et de synthèse d'images et de la parole en temps réel; des lasers et leurs applications industrielles, médicales, météorologiques, de mesure et d'instrumentation; des plasmas froids et leurs applications dans les différents domaines.
عُدِّل بموجب Décret exécutif n° 03-457 (ج.ر عدد 75 لسنة 2003)
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“Art. 3. — Outre les missions fixées à l’article 5 du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaabane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le centre est chargé de la réalisation des programmes de recherche scientifique et de développement technologique dans le domaine des technologies avancées.
A ce titre, il est notamment chargé de mener des travaux de recherche scientifique et de développement et d’innovation technologiques dans les domaines suivants :
— la microélectronique et la nanotechnologie, notamment la fabrication de dispositifs et de composants électroniques, la modélisation de dispositifs et de processus, le test et la caractérisation, le développement d’outils et de l’environnement de conception assistée par ordinateur, la conception et la réalisation de circuits à haut niveau d’intégration, analogiques et radiofréquences ;
— l’architecture des systèmes et du multimédia, en particulier les systèmes parallèles, l’arithmétique des ordinateurs et les circuits programmables, l’instrumentation virtuelle et les équipements spécialisés dans les domaines de la santé, de l’industrie, de l’énergie et de l’environnement, les systèmes et les réseaux de transmission et de restitution de la parole, du script, de l’image, les systèmes d’information et la sécurité informatique ;
— le génie logiciel et l’intelligence artificielle, notamment le développement de la programmation applicative, les réseaux de neurones, les ensembles et la logique flous, les algorithmes génétiques, les systèmes experts et l’ingénierie des connaissances ;
— la productique et la robotique, en particulier les systèmes automatisés de production, les ateliers flexibles, la vision artificielle, la technologie et la commande des robots, la robotique avancée, la robotique industrielle et médicale, la robotique mobile ;
— les télécommunications et les nouveaux services, en particulier les systèmes de transmission par faisceaux hertziens, les télécommunications spatiales, les systèmes intégrés de commutations, les systèmes sur puces, le codage et la crytographie ;
— les technologies du silicium et les composites, notamment les techniques de caractérisation, la synthèse des matériaux, les surfaces et interfaces, les méthodes mathématiques et numériques de modélisation et de simulation ;
— les lasers et leurs applications, en particulier les lasers solides, à gaz et colorants, les lasers à semi-conducteurs, les lasers femtosecondes et leurs applications industrielles, médicales, de mesure et d’instrumentation ;
— les milieux ionisés, en particulier les applications des plasmas de décharge et des plasmas créés par laser, la spectroscopie des plasmas, les phénomènes d’interaction d’une onde laser avec un plasma et les phénomènes de transport.”
Article 4
فتح المادةEn matière de formation, le Centre participe, dans les conditions et selon les modalités prévues par la réglementation en vigueur, à la formation et au perfectionnement des techniciens supérieurs ainsi qu'à la spécialisation dans le cadre de la formation graduée et post-graduée.
أُلغي بموجب Décret exécutif n° 03-457 (ج.ر عدد 75 لسنة 2003)
Article 5
فتح المادةPar application de l'article 11 du décret n° 83-521 du 10 septembre 1983 susvisé, le conseil d'orientation, présidé par le Haut commissaire à la recherche ou son représentant, comprend, en outre, au titre des principaux secteurs producteurs ou utilisateurs:
REPUBLIQUE ALGERIENNE 347 un représentant du ministère de la défense nationale, un représentant du ministère de l'industrie lourde, un représentant du ministère de l'enseignement supérieur, un représentant du ministère des postes et télécommunications.
عُدِّل بموجب Décret exécutif n° 03-457 (ج.ر عدد 75 لسنة 2003)
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“Art. 5. — Conformément aux dispositions de l’article 12 du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le conseil d’administration comprend au titre des institutions étatiques concernées :
— un représentant du ministre de la défense nationale ;
— un représentant du ministre chargé des postes et des technologies de l’information et de la communication ;
— un représentant du ministre de l’industrie ;
— un représentant du ministre chargé de l’enseignement et de la formation professionnels ;
— un représentant de la société nationale de transport et de commercialisation des hydrocarbures ;
— un représentant d’Algérie Telecom.”
Article 6
فتح المادةLe présent décret sera publié au Journal officiel de la République algérienne démocratique et populaire.
Fait à Alger, le 22 mars 1988.
Chadli BENDJEDID.
شجرة النص
يستند إلى · تأشيراته
عُدِّل بموجب · نصوص لاحقة
سجل التعديلات
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تُمِّم بموجب Décret exécutif n° 03-457
« 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le présent décret a pour objet de modifier et de compléter le décret n° 88-61 du 22 mars 1988 »
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عُدِّل بموجب Décret exécutif n° 03-457
« L’article 1er du décret n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est modifié et complété comme suit : “Article 1er. — Il est créé un centre de recherche dénommé : “centre de développement des technologies avancées” désigné ci- »
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أُلغي جزئيًا بموجب Décret exécutif n° 03-457
« L’article 4 du décret n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est »
التأشيرات: النصوص التي يستند إليها (4)
- Constitution
- Loi n° 88-01
- Décret n° 83-521
- Décret n° 86-72
نصوص تستند إليه في تأشيراتها (10)
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 5 Joumada El Oula 1446 correspondant au 7 novembre 2024 portant création d’un service commun de recherche « Incubateur » au sein du centre de développement des technologies avancées
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 3 Chaoual 1444 correspondant au 23 avril 2023 portant création d’un service commun de recherche au sein du centre de développement des technologies avancées
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 23 Joumada El Oula 1438 correspondant au 20 février 2017 portant création d’un service commun de recherche au sein du centre de développement des technologies avancées
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 27 Safar 1438 correspondant au 27 novembre 2016 portant création d’un service commun de recherche au sein du centre de développement des technologies avancées
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 21 Dhou El Hidja 1436 correspondant au 5 octobre 2015 modifiant et complétant l’arrêté interministériel du 5 Joumada Ethania 1434 correspondant au 15 avril 2013 portant organisation interne du centre de développement des technologies avancées
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 5 Joumada Ethania 1434 correspondant au 15 avril 2013 portant organisation interne du centre de développement des technologies avancées
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Décret exécutif n° 12-316
Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012 portant création du centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE)
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 9 Chaâbane 1427 correspondant au 2 septembre 2006 portant organisation interne du centre de développement des technologies avancées (C.D.T.A)
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Arrêté interministériel
Arrêté interministériel du 27 Chaoual 1428 correspondant au 8 novembre 2007 complétant l’arrêté interministériel du 9 Chaâbane 1427 correspondant au 2 septembre 2006 portant organisation interne du centre de développement des technologies avancées
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Décret exécutif n° 03-457
Décret exécutif n° 03-457 du 7 Chaoual 1424 correspondant au 1er décembre 2003 modifiant et complétant le décret n° 88-61 du 22 mars 1988 portant création du centre de développement des technologies avancées
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