Décret exécutif n° 03-457 du 7 Chaoual 1424 correspondant au 1er décembre 2003 modifiant et complétant le décret n° 88-61 du 22 mars 1988 portant création du centre de développement des technologies avancées

Dans le cadre de l’application des dispositions du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le présent décret a pour objet de modifier et de compléter le décret n° 88-61 du 22 mars 1988 susvisé.

L’article 1er du décret n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est modifié et complété comme suit :

“Article 1er. — Il est créé un centre de recherche dénommé : “centre de développement des technologies avancées” désigné ci-après “le centre”.

Le centre est un établissement public à caractère scientifique et technologique à vocation intersectorielle régi par les dispositions du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, et par les dispositions du présent décret”.

LA REPUBLIQUE ALGERIENNE N° 75 17

L’article 2 du décret exécutif n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est modifié comme suit :

“Art. 2. — Le centre est placé sous la tutelle du ministre de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique.

Le siège du centre est fixé à Alger. Il peut être transféré en tout autre lieu du territoire national par décret pris sur rapport du ministre de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique”.

L’article 3 du décret n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est modifié comme suit :

“Art. 3. — Outre les missions fixées à l’article 5 du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaabane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le centre est chargé de la réalisation des programmes de recherche scientifique et de développement technologique dans le domaine des technologies avancées.

A ce titre, il est notamment chargé de mener des travaux de recherche scientifique et de développement et d’innovation technologiques dans les domaines suivants :

— la microélectronique et la nanotechnologie, notamment la fabrication de dispositifs et de composants électroniques, la modélisation de dispositifs et de processus, le test et la caractérisation, le développement d’outils et de l’environnement de conception assistée par ordinateur, la conception et la réalisation de circuits à haut niveau d’intégration, analogiques et radiofréquences ;

— l’architecture des systèmes et du multimédia, en particulier les systèmes parallèles, l’arithmétique des ordinateurs et les circuits programmables, l’instrumentation virtuelle et les équipements spécialisés dans les domaines de la santé, de l’industrie, de l’énergie et de l’environnement, les systèmes et les réseaux de transmission et de restitution de la parole, du script, de l’image, les systèmes d’information et la sécurité informatique ;

— le génie logiciel et l’intelligence artificielle, notamment le développement de la programmation applicative, les réseaux de neurones, les ensembles et la logique flous, les algorithmes génétiques, les systèmes experts et l’ingénierie des connaissances ;

— la productique et la robotique, en particulier les systèmes automatisés de production, les ateliers flexibles, la vision artificielle, la technologie et la commande des robots, la robotique avancée, la robotique industrielle et médicale, la robotique mobile ;

— les télécommunications et les nouveaux services, en particulier les systèmes de transmission par faisceaux hertziens, les télécommunications spatiales, les systèmes intégrés de commutations, les systèmes sur puces, le codage et la crytographie ;

— les technologies du silicium et les composites, notamment les techniques de caractérisation, la synthèse des matériaux, les surfaces et interfaces, les méthodes mathématiques et numériques de modélisation et de simulation ;

— les lasers et leurs applications, en particulier les lasers solides, à gaz et colorants, les lasers à semi-conducteurs, les lasers femtosecondes et leurs applications industrielles, médicales, de mesure et d’instrumentation ;

— les milieux ionisés, en particulier les applications des plasmas de décharge et des plasmas créés par laser, la spectroscopie des plasmas, les phénomènes d’interaction d’une onde laser avec un plasma et les phénomènes de transport.”

L’article 5 du décret n° 88-61 du 22 mars 1988 susvisé, est modifié et complété comme suit :

“Art. 5. — Conformément aux dispositions de l’article 12 du décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999, modifié, susvisé, le conseil d’administration comprend au titre des institutions étatiques concernées :

— un représentant du ministre de la défense nationale ;

— un représentant du ministre chargé des postes et des technologies de l’information et de la communication ;

— un représentant du ministre de l’industrie ;

— un représentant du ministre chargé de l’enseignement et de la formation professionnels ;

— un représentant de la société nationale de transport et de commercialisation des hydrocarbures ;

— un représentant d’Algérie Telecom.”

L’article 4 du décret n° 88-61 du 22 mars 1988, susvisé, est abrogé.

Les dispositions du présent décret prennent effet à compter du 15 novembre 2003.

Le présent décret sera publié au Journal officiel de la République algérienne démocratique et populaire.

Fait à Alger, le 7 Chaoual 1424 correspondant au 1er décembre 2003.

Ahmed OUYAHIA. ————#————