Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012 portant création du centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE)

En application des dispositions de l'article 2 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé, il est créé un centre de recherche dénommé centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE) désigné ci-après « le centre ».

Le centre est un établissement public à caractère scientifique et technologique à vocation sectorielle, il est régi par les dispositions du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé, et celles du présent décret.

Le centre est placé sous la tutelle du ministre chargé de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique.

Le siège du centre est fixé à Alger.

Il peut être transféré en tout autre lieu du territoire national, par décret pris sur rapport du ministre chargé de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique.

Le centre est dirigé par un directeur, assisté par un directeur adjoint et un secrétaire général.

Le centre est doté d'un conseil scientifique composé conformément aux dispositions de l'article 21 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé.

Outre les missions définies à l'article 7 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé, le centre est chargé notamment :

— d'élaborer les procédés métallurgiques pour valoriser l'ensemble des segments de traitement de minerais de base à la technologie des semi-conducteurs (en particulier le silicium) et de développer les techniques de croissance cristalline de ces matériaux ;

— de maîtriser les procédés technologiques des dispositifs à base de semi-conducteurs pour la filière "silicium massif' et la filière émergente "couches minces" ;

— de développer les technologies industrielles associées aux procédés sur les matériaux et les dispositifs de conversion énergétique ;

— de développer des dispositifs à haut rendement de conversion. 10 JOURNAL OFFICIEL DE LA REPUBLIQUE

Conformément aux dispositions de l'article 13 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé, le conseil d'administration comprend au titre des institutions étatiques concernées :

— un représentant du ministre de la défense nationale ;

— un représentant du ministre chargé de l'énergie et des mines ;

— un représentant du ministre chargé de la prospective et des statistiques ;

— un représentant du ministre chargé de l'aménagement du territoire et de l'environnement ;

— un représentant du ministre chargé de la formation et de l'enseignement professionnels ;

— un représentant du ministre chargé de l'industrie, de la petite et moyenne entreprise et de la promotion de l'investissement ;

— un représentant du ministre de la poste et des technologies de l'information et de la communication.

Les biens meubles de l'unité de développement de la technologie de silicium (UDTS) relevant du centre de développement des technologies avancées créé par le décret n° 88-61 du 22 mars 1988, modifié et complété, susvisé, ainsi que ses moyens, droits et obligations sont transférés au centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE).

Le transfert prévu à l'article 6 ci-dessus donne lieu à : 1 — l'établissement d'un inventaire qualitatif, quantitatif et estimatif dressé conformément aux lois et règlements en vigueur par une commission dont les membres sont désignés par le ministre chargé de l'enseignement supérieur et de la recherche scientifique et le ministre chargé des finances ; 2 — la définition des procédures de communication des informations et des documents se rapportant à l'objet du transfert prévu à l'article 6 ci-dessus.

Les personnels relevant de l'unité de développement de la technologie de silicium (UDTS) relevant du centre de développement des technologies avancées sont transférés au centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE) conformément à la législation et à la réglementation en vigueur.

Les droits et les obligations des personnels concernés demeurent régis par les dispositions légales, statuaires et contractuelles en vigueur à la date du transfert.

Le présent décret sera publié au Journal officiel de la République algérienne démocratique et populaire.

Fait à Alger, le 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012.

Ahmed OUYAHIA.

ALGERIENNE N° 49 22 Chaoual 1433 9 septembre 2012