Décret exécutif n° 12-316
· ج.ر عدد 49 لسنة 2012
Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012 portant création du centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE)
Article 3
Le centre est dirigé par un directeur, assisté par un directeur adjoint et un secrétaire général.
Le centre est doté d'un conseil scientifique composé conformément aux dispositions de l'article 21 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011, susvisé.
