Décret exécutif n° 12-316
· ج.ر عدد 49 لسنة 2012
Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012 portant création du centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE)
Article 8
Les personnels relevant de l'unité de développement de la technologie de silicium (UDTS) relevant du centre de développement des technologies avancées sont transférés au centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE) conformément à la législation et à la réglementation en vigueur.
