Décret exécutif n° 12-316
· ج.ر عدد 49 لسنة 2012
Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au 21 août 2012 portant création du centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE)
Article 6
Les biens meubles de l'unité de développement de la technologie de silicium (UDTS) relevant du centre de développement des technologies avancées créé par le décret n° 88-61 du 22 mars 1988, modifié et complété, susvisé, ainsi que ses moyens, droits et obligations sont transférés au centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l'énergétique (CRTSE).